Физический энциклопедический словарь - бесщелевые полупроводники

Зависимость энергии ξ от квазиимпульса р бесщелевых ПП 1-го типа: a — зона проводимости; б — валентная зона.

Наиболее типичные представители — сплавы Bi—Sb, системы CdxHg1-xТе, Pb1-x SnxTe и др.

Б. п. 1-го типа образуют своеобразную границу между полуметаллами и ПП. Так как у Б. п. для перехода эл-нов из валентной зоны в зону проводимости не нужна энергия активации, то они имеют высокую диэлектрич. проницаемость. Сравнительно слабое электрич. поле увеличивает концентрацию подвижных носителей заряда, приводя к существенному отклонению от закона Ома. В Б. п. большую роль чем в обычных ПП, играет кулоновское вз-ствие эл-нов между собой и с примесными ионами. Практич. применения такие Б. п. пока не нашли.

В Б. п. 2-го типа подвижность носителей достигает рекордных значений, что облегчает наблюдение ряда кинетич. эффектов в электрич. и магн. полях. С этими Б. п. связан вопрос о фазовом переходе диэлектрик — металл; они используются в ПП приборостроении (приёмники ИК излучения, охлаждающие устройства и др.).

• Берченко Н. Н., Пашковский М. В., Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной, «УФН», 1976, т. 119, в. 2, с.223; Г е л ь м о н т Б. Л., И в а н о в-О м с к и й В. И., Ц и д и л ь к о в с к и й И. М., Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников, «УФН», 1976, т. 120, в. 3, с. 337.

С. Д. Бенеславский.